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而反应剂气相扩散系数和反应室工作气压成反比

发布时间:2017-5-18 21:50:40 访问次数:57
   在水平式LPCVD的批量化生产中,由于衬底是密集摆放的,两衬底硅片之间间距一般只有5mm右,OPA1662AIDGKR气流中的反应剂是通过硅片和反应室之间的环形空间再扩散到硅片之间的狭窄空隙中的,只有反应剂的扩散速率快,扩散时间短,才能保证扩散到每个衬底表面的反应剂浓度均匀。而反应剂气相扩散系数和反应室工作气压成反比,降低气压能加快反应剂的扩散速率;但气压降低衬底表面边界层厚度却有所增加。综合作用是气压降低反应剂扩散速率的提高更加明显,例如,反应室工作气压由常压降至几十帕时,通常反应剂的扩散速率能提高上百倍,极大地缩短了气相质量输运时间。因此,降低工作气压是衬底密集摆放的前提。     由于水平式LPCVD多采用热壁式反应器,整个反应室内的温度为相同的高温,这使得反应剂会在气相和室壁面发生反应,造成颗粒物污染。而若把置作气压由常压降至几十帕甚至更低时,反应剂密度大幅降低,分子平均自由程增长,反应剂在气相和室壁面发生反应现象会明显减少。而且即使有颗粒物出现,也多会被真空抽气系统从反应器中抽走。因此,降低工作气压也是热壁式反应器避免颗粒污染的有效方法。LPCVD的颗粒污染现象好于APCVD。

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