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LPCVD的工艺温度通常是控制在表面反应限制区

发布时间:2017-5-18 21:52:46 访问次数:64
    LPCVD的工艺温度通常是控制在表面反应限制区。囚此,薄膜淀积速率对温度非常敏感,OPA171AIDBVT而对反应剂浓度的均匀性要求不高。这也是因为热壁式反应器I作在低压时气压易于波动,且衬底密集摆放使得片内反应剂浓度的均匀性降低,相对而言更易于控制温度精度的缘故。电阻加热器的控温精度一般在±0.5℃,高精密的可达±0.1℃,这完全能满足LPCVD对温度的精确控制。尽管LPCVD是将工艺温度控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,但如果气体是从反应器一端进人另一端被排出E如图⒎11(a)水平式反应器所示彐,随着反应剂的消耗,沿着气流方向反应剂浓度将逐渐降低,因此衬底硅片上淀积的薄膜厚度也沿气流方向变薄,这种现象被称为气缺效应。气缺效应可通过沿气流方向提高工艺温度来消除,即控制加热器沿着气流方向温度逐步提高。这就如同川℃VD的基座是沿着气流方向有一倾角一样。气缺效应还可通过合理设计分布式气体人口方法来解决,这需要特殊设计的反应器,并限制注入气体所产生的气流交叉效应。另外,增加气体流速,气体人口前端所消耗的反应剂绝对量不变,但比例却降低了,更多的反应剂气体能够输运到下游,在各个衬底硅片上所淀积的薄膜厚度也就相对均匀了。即通过提高反应室的气体流速也能解决气缺效应带来的问题。    影响LPCVD薄膜质量和淀积速率的因素主要有温度、△作气体总压、各种反应剂的分压、气流均匀性及气流速度。另外,工艺卫生对薄膜质量也有很大影响.如果薄膜淀积之前反应室颗粒物清理不彻底或衬底清洗不彻底,就无法获得高质量的淀积薄膜。

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