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设备高价格化2017-5-27 20:57:04
建一座200mm的硅片工厂需投资10~15亿美元,建一座30omm的硅片工厂需投资20~30亿美元,其中设各投资占60%~80%。单台光刻设备的U乐国际娱乐价格也是越来越高。M93C66-MN6T如⒛0...[全文]
纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领2017-5-27 20:28:47
纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域中。NⅡ'图形的转移是通过模具下压导致抗蚀剂流动并填充到模具表面特征图形中的,H27UBG8T2ATR-BC随后增大模具下压载荷致使...[全文]
提高1931m ArF浸入式光刻机NA的方案 2017-5-27 20:24:33
从光刻系统分辨率式(9△)可知,减小曝光光源的波长并增加投影透镜的NA都可以提高分辨率。H27S2G8F2CFR-BI自从193nm波长成为主攻方向以后,增大NA成为了业界人士孜孜不倦的追求。表...[全文]
铬膜质量2017-5-25 21:18:25
(1)膜厚一般铬膜厚度控制在100nm左右。通常是ACT212利用透光量随膜厚的变化这一特点来控制其厚度的,生产时通过钟罩窗口观察透过铬层的白炽灯丝的亮度,当呈咖啡色时即可。只要在...[全文]
半导体技术经过半个多世纪的发展,2017-5-23 21:33:45
这一单元包括三方面内容:第9章光刻工艺,介绍硅片上薄膜图形复制工艺;第10章光刻技术,PMBS3906介绍光刻工艺所用光刻版、光刻胶、光刻设备及光刻技术发展趋势;第11章刻蚀,介绍干法和湿法薄膜...[全文]
真空蒸镀工艺的薄膜保形性会有所改善2017-5-22 19:48:56
对于衬底旋转,除了可以改善衬底的高形貌差投射出阴影区的薄膜覆盖问题之外,还可以改善所L6562DTR(LF)淀积薄膜厚度的均匀性。在8,3.1节对源气相输运过程进行分析中曾得出,假如蒸镀源与各衬...[全文]
电感加热器2017-5-21 18:15:47
电感加热器。它是利OP497G用电感在导电的金属源中产生的涡流电功率来对源加热的。电感加热器示意图如图⒏13所示,一般由氮化硼(BN)制成坩埚,金属线圈绕在坩埚上,在这个线圈上加载射频功率,坩埚...[全文]
金属化合物的化学气相淀积2017-5-20 22:13:03
在集成电路制造中用到多种金属化合物薄膜,例如,在多晶硅/难熔金属硅化物(Polyode)多层栅结构中应用的金属硅化物,如WSi、TaSi和MoS等;AD9258BCPZ-80在金属多层互连系统中...[全文]
多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用2017-5-20 21:39:35
基于以上特点,多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用。高掺杂的多晶硅薄膜在MOS集成电路中普遍作为栅电极和互连引线。ACT4455YH-T在多层互连工艺中,可以使用多层多晶硅技术,并且可以在多晶...[全文]
淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源2017-5-19 21:35:45
学淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源,可以形成B:03元氧化物薄膜系统,即CVDPSG。BPSG较PSG有更低的软化温度。BPSG的流动性取决于薄膜的组分、退火工K4B1G1646E-HCK0艺...[全文]
CVD工艺原理 2017-5-18 21:17:31
采用CVD工艺制备薄膜时,源是以气相方式被输运到反应器内,由于衬底高温或有其他形式能量的激发,OMAPL138BZWT3源发生化学反应,生成固态的薄膜物质淀积在衬底表面形成薄膜;而生成的其他副产...[全文]
CDV是制备薄膜的一种常规方法2017-5-18 21:11:40
CDV是制备薄膜的一种常规方法,当前,在微电子I艺中已经采用和发展了多种C、⑩工艺技术。实际上CVD工艺与第3章外延工艺中介绍的气相外延工艺相似,OMAPL137BZKBA3有些具体方法及I艺设...[全文]
注氧隔离(sIMOX)技术2017-5-17 21:40:28
soi片的制作,可采用向⒏中离子注入O+工艺,通过退火获得⒏02层,这种工艺称为⒏MC)X(Scparau∞”Imphntedhref="http://magic-cg.com/RLT_S/R...[全文]
自对准金属栅结构2017-5-17 21:36:14
在采用普通扩散方法制造MOS晶体管的工艺中,都是先形成源区和漏区,再制作栅电极。如图634所示是自对准金属栅结构示意图。RFD14N05LSM在这种工艺中,为了避免光刻所引起的栅与源、栅与漏衔接...[全文]
硅材料的热退火特性2017-5-16 21:21:22
把欲退火的晶片,在真空或是在氮、氩等高纯气体的保护下,加热到某一温度进行热处理,由于晶M65847AFP片处于较高温度,原子的振动能增大,因而移动能力加强。可使复杂的埙伤分解为点缺陷或者其他形式...[全文]
与靶温的关系2017-5-16 21:14:51
离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
与靶温的关系2017-5-16 21:14:50
离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度2017-5-16 21:06:27
离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度,但是,在离子注入的过程中,进人靶M62429P内的离子,通过碰撞把能量传递给靶原子核及其电子.不断地损失能量最后停止在靶内某一位置。靶内的原子和电...[全文]
硅靶中几种离子的RP、ARP及AR⊥的理论计算值2017-5-15 21:35:29
横向效应指的是注人离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。PG127S17考虑窗口边缘处人射离子的浓度分布,假定掩膜窗口宽为杨,在窗口区(一伢,+曰)内,注入离子的剂量是恒定的,在掩膜窗口外的区域...[全文]
核阻止本领和电子阻止本领曲线2017-5-15 21:31:08
当人射离子的能量低于图67中与⒍对应的能值时,电子的阻止作用可以忽略不计,靶原子核的阻止作用占主要地位。这时离子经过的路径将如图61(a)所示。PA985C6R由于离子束中各个离子与靶表面原子碰...[全文]
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