位置:51电子网 » 技术资料 » 传感与控制
法刻蚀设备2017-5-28 15:10:29
最常见的干法刻蚀设备是使用平行板电极的反应器。早期的桶式刻蚀设各,则是将电OPA4705EA极加在腔外,适合应用于等向性的刻蚀,如光刻胶的去除。为了提高等离子体的浓度,在反应离子刻蚀机(R⒍ac...[全文]
W金属的干法刻蚀使用的气体2017-5-28 15:08:02
W金属的干法刻蚀使用的气体主要是S、Ar及O2。其中,S民在等离子体中可分解以提供F原子与W进行化学反应生成氟化物WF‘,其他氟化物的气体,如CF1、NF3等均可用来作为钨回刻的气体,因W风在常...[全文]
刻蚀选择比2017-5-28 14:52:16
刻蚀选择比(如图113所示)是指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少,它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。OPA2137EA/2K5高的选择比意味着只刻蚀想...[全文]
新技术展望2017-5-27 20:16:56
2005年的国际半导体技术发展路线图(ITRS)中,浸入式光刻、纳米压印光刻、极紫外H27S1G8F2BFR-BI光刻(EUV)和无掩膜光刻(MI'2)一起成为后光刻技术时代的候选技术,下面分别...[全文]
负胶是使明昂甲的光刻胶,2017-5-26 20:52:53
负胶是使明昂甲的光刻胶,用于负版光刻。曝光后,窗口处的胶膜保留.未曝光的胶膜被显影液除去,SC1812ML330K图形发生反转(如图10-12所示)。负胶大多数由长链高分子有机物组成。例如,由顺...[全文]
掩模板检测技术的发展趋势2017-5-25 21:45:49
随着集成电路工艺向90nm以下发展,分辨率增强技术(RET)和极端分辨率增强技术(XRET)的应用不断增加,如OPC、PSM和SR剡ⅨSubR∞oltltlonAsFeature)等,S5PV2...[全文]
OPC技术虽然可以减弱光学邻近效应2017-5-25 21:38:46
href="http://magic-cg.com/stock_S/S2EB-DC5V.html">S2EB-DC5V形边缘的散射会降低整体的对比度,使得光刻胶图形不再黑白分明,而是包含了很多...[全文]
掩模板制造设备面临的挑战2017-5-25 21:32:14
谈到掩模板,就要谈到掩模板制造的核心没备――――图形发生器(P扯tcmGenerator)。目前,S29GL032M90FFIS10掩模板制造设各U乐国际娱乐商主要有二家:Micronk、Jeol和Nu...[全文]
在基本的光刻工艺过程中,最终步骤是检验2017-5-24 21:55:43
在基本的光刻工艺过程中,最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检,以HAT3006R-EL-E检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或白动检验来检验缺陷和图案变形。对于特定的光...[全文]
磁控溅射2017-5-22 20:09:50
磁控溅射(Magnetlon助utt山llg)是在⒛世纪70年代发展起来的溅射技术。1974年Chamn发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶,这一发明推动了磁控溅射进人生产领域。L7905CP目...[全文]
薄膜淀积速率与工作气体气压的关系和成熟2017-5-22 20:05:43
工作气体的气压较低时,因原子L78M09CDT的平均自由程较长,到达衬底表面的靶原子没有被多次碰撞而消耗过多能量,在衬底表面的扩散迁移能力也较强,这提高了所淀积薄膜的致密度。相反,I作气体的压力...[全文]
射频溅射2017-5-22 20:03:42
射频溅射(RF№tltte。llbo)是指激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法。1966年IBM公司首先研发出了射频溅射技术,它可以溅射绝缘介质。L78M05CDT这一溅射方法的出现解决了...[全文]
溅射率与入射离子种类的关系2017-5-22 19:59:42
溅射率与入射离子种类的关系,总的来说是随着离子质量增加而增大的。图⒏⒛所示是溅射率与轰击离子的原子序数的关系曲线。L78L08ACD13TR由曲线可知,对于填满或接近填满价电子壳层的轰击离子,溅...[全文]
真空蒸镀2017-5-21 17:39:50
真空蒸镀(VactlumEvapora0on)又称为真空蒸发,是把装有衬底的真空室抽吸至高真空度,然后BCM7035RKPB1加热源材料使其蒸发或者升华,形成源蒸气流人射到衬底表面,最终在衬底凝...[全文]
与扩散泵类似的还有分子泵2017-5-21 17:32:23
与扩散泵类似的还有分子泵。分子泵是利用高速旋转的转子把动量传输给气体分子,使之获得BCM5786KMLG定向速度,从而被压缩、被驱向排气口后为前级泵抽走的一种真空泵:分子泵有3种:①牵引分子泵,...[全文]
LPCVD是制备s3\薄膜的主要方法之一2017-5-20 21:19:03
LPCVD是制备s3\薄膜的主要方法之一,它也是中温工艺,比H℃Ⅵ)s@中温工艺温度要高约100℃,有较好的台阶覆盖特性和较少的粒子污染。然而u℃Ⅵ)战Nl薄膜的内应力大,约为105N/⑾2,几...[全文]
薄膜是作为多层金属铝布线中铝层之间的绝缘层2017-5-19 21:40:45
目前,APCVD方法还是淀积⒏02薄膜常用的工艺方法,采用不同的硅源,淀积工艺条件、淀积速K4B1G1646G-BCK0率、薄膜质量及用途等都有所不同。通常采用sH1/(先系统低温...[全文]
二氧化硅薄膜的淀积 2017-5-19 21:30:01
CVD是用来制备二氧化硅介质薄膜的主要工艺方法之一,在集成电路工艺中,CVD二氧化硅薄膜的应用极为广泛。K4B1G1646E-HCF8CⅤD-sioz特性与用途CVD...[全文]
直流气体辉光放电2017-5-19 21:04:09
在通常情况下,气体处于电中性状态,只有极少量的分子受到高能宇宙射线的激发而电离。在没K4B1G0846E-HCF7有外加电场时,这些电离的带电粒子与气体分子一样,作杂乱无章的热运动。当有外加电场...[全文]
预先非晶化是一种实现p+结的比较理想的方法2017-5-17 21:29:14
预先非晶化是一种实现p+结的比较理想的方法。如在注硼之前,先以重离子高剂量注入,使硅RF6285TR13表面变为非晶的表面层。这种方法可以使沟道效应减到最小,与重损伤注人层相比,完全非晶化层在退...[全文]
总页数:203 每页记录数:20 当前页数:1 U乐国际娱乐 上一页 1 2 3 4 5 6 下一页 尾页

热门点击

  1. 静电对器件造成的损坏
  2. 无线传感器网络最早是
  3. 转化到正胶需要改变掩
  4. 故障检测与维护
  5. 串联逆变器电路流经感
  6. 本参数设置电动机的最
  7. 制定有关国家强制性产
  8. 金属机箱问题的解决
  9. 主动式PFC解决方案
  10. 电源线、地线设计

IC型号推荐

  1. 1.5KE36CA-E3/1
  2. 1.5KE36CA-E3/4
  3. 1.5KE36CA-E3/54
  4. 1.5KE36CARL
  5. 1.5KE36CARL4
  6. 1.5KE380A
  7. 1.5KE380CA
  8. 1.5KE39
  9. 1.5KE39A
  10. 1.5KE39A/CA
  11. 1.5KE39AB
  12. 1.5KE39A-E3
  13. 1.5KE39A-E3/1
  14. 1.5KE39A-E3/4
  15. 1.5KE39A-E3/54
  16. 1.5KE39ARL4
  17. 1.5KE39ARL4G
  18. 1.5KE39C
  19. 1.5KE39CA
  20. 1.5KE39CA-E3/1
  21. 1.5KE39CA-E3/4
  22. 1.5KE39CA-E3/54
  23. 1.5KE400
  24. 1.5KE400-7003-E3/4
  25. 1.5KE400A
  26. 1.5KE400A-E3/1
  27. 1.5KE400A-E3/4
  28. 1.5KE400A-E3/54
  29. 1.5KE400ARL
  30. 1.5KE400C


U乐国际娱乐