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埋层的制备2017-5-30 12:36:32
为了减少双极型晶体管收集区的串联电阻,并减小寄生pnp管的影响,在作为双极型晶体管的收集区的外延层和衬底间通常需要制作rl-埋层。P0804BD首先在衬底上热氧化生长二氧化硅,光刻,RIE刻蚀氧...[全文]
隔离工艺2017-5-30 12:07:59
在CMOS电路的一个反相器中,p沟和n沟MOSFET的源漏,都是由同种导电类型的半导体材料构成的,并和衬底(阱)的导电类型不同。PAM2305DABADJ因此,MOsEET本身就是被pll结所隔...[全文]
金属布线的工艺特性2017-5-29 17:13:29
附着性要好,是指所淀积的金属薄膜与衬底硅片表面的氧化层等应具有良好的附着性。在前面M34250M2-086FP章节中介绍了改善金属黏附性的方法。另外,金属氧化物的生成热比氧化硅的生成热更高,化学...[全文]
干法刻蚀 2017-5-28 14:44:55
湿法刻蚀的优点在于对特定薄膜材料的刻蚀速率远远大于对其他材料的刻蚀速率,从而提高刻蚀的选择性。OP183G但是,由于湿法刻蚀的化学反应是各向同性的,因而位于光刻胶边缘下面的薄膜材料就不可避免地遭...[全文]
电子进人光刻胶之后发生的弹性散射2017-5-26 21:21:44
电子进人光刻胶之后发生的弹性散射,是由于电子受到核屏蔽电场作用而引起的方向偏转,SDCL1005C27NJTDF绝大多数情况下偏转角小于90°。其中有一些电子会损失1~1omeV能量,可以看成没...[全文]
蒸发的速率越快则铬原子越能以密集的原子云飞向玻璃2017-5-25 21:20:16
①铬版的牢同度(耐磨及与玻璃的附着力)基本上取决于玻璃的表面清洁与否,因此,对玻璃的表面必须进行严格的清洁处理。②蒸发的速率越快则铬原子越能以密集的原子云飞向玻璃,并形成光...[全文]
光刻掩模板的制造2017-5-24 22:10:12
掩模板就是将设计好的特定几何图形通过一定的方法以一定的间距和布局做在基板上,供光刻HAT3037R-EL-E工艺中重复使用。制造商将设计工程师交付的标准制版数据传送给一个称为图形发生器的设备,图...[全文]
章光刻技术 2017-5-24 22:08:13
影响光刻工艺过程的主要因素为掩模板、光刻胶和光刻机。掩模板由透光的衬底材料(石英玻璃)和不透光金属吸收材料(主要是金属铬)组成。HAT3036R-EL-E通常还要在表面沉积一层保护膜,避...[全文]
涂胶2017-5-24 21:24:59
经过涂底之后,就可以进行涂胶。在涂胶之前先把硅片放在一个平整的金属托盘上。托盘表HAT2068R-EL-E面有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般包括...[全文]
光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一2017-5-23 21:37:39
光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域,如注人区、接触窗口和压焊区等。PMBT2907A由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分,仅是图...[全文]
电阻真空镀铝2017-5-23 21:11:55
常压下,铝熔点为660.4℃,沸点为2467℃,在1250℃时的平衡蒸气压为1,333Pa,所以1250℃是I程上规定的蒸发温度,这一温度并不高,PM7350-PI所以长期以来铝膜都是使用电阻加...[全文]
常压化学气相淀积2017-5-18 21:39:24
常压化学气相淀积(Λtm°splleⅡcPres乩teCl/Il,APCⅥ⑵是最早出现的CVD艺,其淀积过程在大气压力下进行。APCVD系统结构简单,淀积速率可以超过0.1um/min,较快。目...[全文]
几种常用杂质在硅中的核阻止本领与能量关系2017-5-15 21:27:51
图66给出了杂质As、P、B在硅中的能量损失与能量关系的计算值。由图66可见,对硅靶来说,注入离子不同,其核阻止本领达到最大的能量值是不同的。PA905C6RR较重的原子(如砷)有较大的核阻止本...[全文]
发射区推进效应2017-5-14 17:39:52
在npn窄基区晶体管制造中,如果基区和发射区分别扩硼和扩磷,则发现在发射区正下方的基区(内基区)要比不在发射区正下方的基区(夕卜基区)深,N04L63W2AB27I即在发射区正下方硼的扩散有了明...[全文]
集成电路工艺用的单晶硅片或外延硅片的性质2017-5-6 18:03:53
集成电路工艺用的单晶硅片或外延硅片的性质,对集成电路产品性能及芯片工艺有直接的影响,因NC12S0A0H40PNFA此,本书首先介绍单晶硅片和外延硅片的结构、特性及制备工艺。硅芯片单项工艺是集成...[全文]
直流电阻线圈的直流电阻2017-5-5 20:39:00
直流电阻线圈的直流电阻,一般允GD75323D许有±10%的误差。它与线圈的匝数及线圈的额定工作电压成正比。线圈电源与线圈功率线圈电源是指继电器线圈使用的工作电源类型(用来说明使用...[全文]
FY-1辐射计系统性能分析2017-5-4 19:49:31
FY-1辐射计系统性能分析FY-1卫星的辐射计的系统性能分析主要包含三个方面:光谱波段分析、主要部Q71800020000214件性能分析以及辐射定标。通过这些性能分析就可以将FY...[全文]
太阳Ⅹ射线成像仪2017-5-4 19:23:35
空间气象源于外层空间范围的太阳大气层,我们称作日冕,这是一层极热极稀薄的电离气体,Q3309CA40000311它的温度超过⒛0万℃。当太阳风流以及日冕质量喷发一旦靠近地球,就会产生地磁暴,表现...[全文]
不管是在氧化管中还是在等离子刻蚀反应室内2017-4-30 19:25:50
所有物质都可用其化学组成和由化学组成而决定的性质来区分。在这一节中,G18N120BN将定义好几个重要性质,这些都需要通过与半导体材料和工艺化学品打交道来理解。不管是在氧化管中还是...[全文]
多年来体硅是微芯片制造的传统衬底2017-4-30 19:21:01
多年来体硅是微芯片制造的传统衬底。G12-3630电性能要求新的衬底,例如像在蓝宝石这样的绝缘层t:硅(SOI),金刚石上硅(SOD)。金刚石比硅散热更好。另一种结构是淀积在锗硅晶圆卜的应变硅层...[全文]
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