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刻蚀技术新进展2017-5-29 16:54:09
刻蚀I艺技术发展非常迅速,一方面是已有刻蚀工艺的完善提高,如干法刻蚀系统设备的不断改进,工艺水平不断提高;湿法刻蚀也向着标准化、自动化方向进步。ICM7555CBAZ(LF)另一方...[全文]
反应离子刻蚀机(RIE)2017-5-29 16:43:06
RIE包含了一个高真空的反应腔,压力范围通常在1~1oOPa,腔内有两个平行板状的电极。IC01CP如图1l△所示是RIE设各示意图,其中,一个电极与反应器的腔壁一起接地,另一个电极与晶片夹具接...[全文]
越来越重要的DFM2017-5-25 21:43:13
随着技术节点向90nm、65nm、45nm发展,电路设计越来越复杂,对良率的影响也越来越大(如图109所示),S3C2410A-20换句话讲,通过对电路设计的改进将可以大大提升良率,这就是为什么...[全文]
曝光是使光刻掩模板与涂上光刻胶的衬底对准2017-5-24 21:39:59
曝光是使光刻掩模板与涂上光刻胶的衬底对准,用光源经过光刻掩模板照射衬底,使接受到HAT2197R-EL-E光照的光刻胶的光学特性发生变化。曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。1....[全文]
PⅤD金属及化合物薄膜2017-5-23 21:10:31
在微电子器件和集成电路中使用金属薄膜的场合很多,有导电性能良好的铝、铜、金、银等,多是PM6658作为与硅接触的内电极和(或)互连布线;有与硅接触势垒高且不发生互扩散的镍、铂、镉、镍铬和钨等,可...[全文]
溅射薄膜的质量及改善方法2017-5-23 21:02:45
溅射工艺和蒸镀工艺一样,也多在制备微电子器件内电极或集成电路互连系统的金属、合金及PIC16F687T-I/ML硅化物薄膜时使用。因此,要求溅射工艺制备的薄膜保形覆盖特性、附着性、致密性要好。对...[全文]
使薄膜的淀积速率也有大幅度提高2017-5-22 20:11:41
①提高了溅射效率,使薄膜的淀积速率也有大幅度提高,薄膜淀积速率与直流溅射相比提高了一个数量级。L79L05ACD13TR②可以降低系统内工作气体的气压,如当工作气体的气压在105P...[全文]
等离子体中离子浓度主要和工作气体的气压有关2017-5-22 19:53:16
等离子体中离子浓度主要和工作气体的气压有关。在原子电离概率相同时,升高工L7824CV作气体压力,离子浓度也相应升高。而在相同气压下,原子电离概率主要是由激发等离子体的电(磁)场特性决定的。升高...[全文]
溅射是当前集成电路制造技术中制备金属2017-5-21 17:25:31
溅射是当前集成电路制造技术中制备金属、合金和金属硅化物薄膜时常采用的Pvd方法,这种方法几乎可以制备任何固态物质的薄膜。BCM5673A1KPB与蒸镀相比,溅射薄膜具有附着性好,台阶覆盖能力较强...[全文]
膜的致密性2017-5-18 21:35:47
薄膜的致密性主要由淀积过程中的衬底工艺温度决定,在工艺温度范围之内,温度越OPA121KU高越有助于固态薄膜物分子(或原子)在衬底表面的迁移和排列,同时也有利于生成的气态副产物分子从表面解吸、被...[全文]
薄膜中的应力2017-5-18 21:32:58
淀积薄膜中通常有应力存在,如果应力过大可能导致薄膜从衬底表面脱落.或导致衬底弯曲,进而OP213FSZ影响后面的光刻工艺。因此,有必要分析薄膜中的应力的成囚.并通过工艺控制来减小薄膜中的应力。...[全文]
4种超浅结离子掺杂新技术的比较2017-5-18 20:56:43
4种超浅结离子掺杂新技术的比较见表67。应用超浅结掺杂新技术时需要考虑的问题主要有:新的超浅结技术是否可同时用于pˉn结和pn・结,OB2269CP实现源/漏和栅掺杂...[全文]
RTP在大直径硅单晶材料的缺陷工程上也得到了应用2017-5-17 20:38:57
更为重要的是,RTP在大直径硅单晶材料的缺陷工程上也得到了应用。通过在高RB751S40温下对硅片进行处理,在硅片的纵深方向上建立起空位浓度梯度,即在硅片的表面空位浓度低而体内的浓度高,利用空位...[全文]
与注入离子能量的关系2017-5-16 21:17:00
忽略沟道效应、复位碰撞M64884FP中缺陷消失以及入射离子与电子的相互作用,那么损伤程度可以用入射离子所产生的移位原子数目来估计。在这种情况下,一个能量为风的人射离子,在碰撞时传递给受碰粒子的...[全文]
离子注人深度随离子能量的增加而增加2017-5-15 21:06:47
离子注人深度随离子能量的增加而增加,囚此掺杂深度可通过控制离子束能量的高低来实现。PA886C02另外,在注人过程中可精确控制电荷量,从而可精确控制掺杂浓度.因此通过控制注入离子的能量和剂量,以...[全文]
氧化物源扩散2017-5-14 18:01:18
用掺杂的氧硅烷作为源,进行低温淀积,在硅片表面⊥淀积一层掺有某种杂质(如硼或磷)的氧化层。R1224N502M-TR-FE以此掺杂氧化层作为扩散杂质源,在高温下(N2为保护气氛)向硅中扩散,以达...[全文]
高纯的三氯乙烯在常温下是液体2017-5-13 18:00:19
高纯的三氯乙烯在常温下是液体,可直接用氮气、氨气或氧气携带进人反应室,系统中的TCE量由源温、源气体流量等来调节。但TCE的饱和蒸气压随源温而变化,MAX1908ETI所以在氧化过程中源温要恒定...[全文]
二氧化硅薄膜中的杂质2017-5-11 22:12:02
在二氧化硅薄膜生长过程中,若工艺条件是理想的,即不存在任何的杂质沾污,则在硅KA7805ETU片表面将形成本征的⒏O2薄膜。然而在生产过程中,理想的工艺条件是不存在的,或多或少的杂质沾污使生成的...[全文]
图形的漂移与畸变既相关联2017-5-10 22:41:40
图形的漂移与畸变既相关联,又有区别。图形漂移程度随偏离角度的增大而增大,而图形MAX202CWE畸变程度则随偏离角度的增大而减小。外延层越厚,漂移和畸变程度都增大。外延层的生长并非...[全文]
硅品体是金刚石型结构2017-5-10 22:38:41
层错可以起源于外延层的内部,但绝大多数是从衬底与外延层的交界面开始的。硅品体MAX202CPE是金刚石型结构,以沿(111〉晶向生长的外延层为例来看堆积层错产生的具体过程。沿〈111〉晶向,原子...[全文]
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