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光刻胶的黏附性描述了光刻胶黏着于衬底的强度2017-5-26 20:45:48
光刻胶的黏附性描述了光刻胶黏着于衬底的强度。光刻胶必须黏附于许多不同类型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(掺杂的和未掺杂的)、氮化硅和不同的金属。光刻胶SBJ100505T-121Y-N...[全文]
去胶2017-5-24 21:51:47
光刻胶除了在光刻过程中作为从光刻掩模板到衬底的图形转移媒介外,还可以HAT3004RJ-EL-E作为刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。当刻蚀完成后,光刻胶已经不再有用,需要将其彻底去除,完成这一过程的...[全文]
电子束真空镀铝2017-5-23 21:12:59
电子束真空镀铝,源(也称靶)为铝粉末或铝锭,通常采用水冷式石墨(或紫铜)坩埚装源。铝锭放PM8018在坩埚中,由于水冷散热快,当坩埚中心的铝熔化时,其边缘铝仍处于固态,这样可以避免铝与坩埚反应带...[全文]
靶原子气相输运过程2017-5-22 20:01:40
靶原子气相输运过程是指从靶面逸出的原子(或其他粒子)气相质量输运到达衬底的过程。L78L15ACD常规溅射工艺,由于平板式溅射装置真空室内气体压力较高,尽管两极板之间的距离较近(一般在10cm左...[全文]
靶原子气相输运过程2017-5-22 20:01:38
靶原子气相输运过程是指从靶面逸出的原子(或其他粒子)气相质量输运到达衬底的过程。L78L15ACD常规溅射工艺,由于平板式溅射装置真空室内气体压力较高,尽管两极板之间的距离较近(一般在10cm左...[全文]
直接在硅源和稀释气体中加入含所需杂质元素的掺杂剂2017-5-20 21:46:14
在LPCx/DvdySi薄膜生长过程中,直接在硅源和稀释气体中加入含所需杂质元素的掺杂剂,如磷烷(PH3)、砷烷(AsH3)和乙硼烷(马H6)等,进行薄膜淀积中的原位掺杂。为了准确地控制掺...[全文]
CⅤD工艺方法的进展2017-5-19 21:25:35
集成电路工艺中除了采用上述3种CVD方法制备薄膜之外,还有热丝化学气相淀积(HWCⅥ⑵、MOCVD、等。CXJD薄膜制各工艺方法的进展,一方面是常规LPCVD和PECVD技术的进步,这主要表现在...[全文]
离子注入原理 2017-5-15 21:10:09
离子注人是离子被强电场加速后注入靶中,离子受靶原子阻止而停留其中,经退火后PA905C4成为具有电活性的杂质的一个非平衡的物理过程。注入离子在靶中分布的情况与注人离子的能量、性质和靶的具体情况等...[全文]
外延缺陷与外延层检测 2017-5-10 22:35:20
外延层的质量直接关系到制作在上面的各种元器件的性能。而外延过程中,外延层晶格是否完整,MAX1967EUB会存在哪些缺陷?外延层中掺人杂质的类型和数量,即电阻率大小及分布,外延层厚度及其均匀性,...[全文]
外延技术2017-5-9 22:12:37
基于不同的工艺需求,随着气相外延工艺的发展出现了多样化的外延技术。为了减LD2982BM30R小自掺杂效应,出现了低压外延I艺。为了实现只在衬底的特定区域生长外延层,出现了硅的选择外延技术。还有...[全文]
自掺杂效应2017-5-9 21:57:27
自掺杂效应是指高温外延时,高掺杂衬底的杂质反扩散进人气相边界层,又从边界层扩散掺人外延层的现象。LD2980ABU50TR这不仅会改变外延层和衬底杂质浓度及分布,对于yn或Vp硅外延,还会改变p...[全文]
按外延层/衬底材料分类2017-5-8 20:48:26
按照外延层/衬底材料的异同可以将外延工艺划分为同质外延和异质外延。同质外M24C16-WMN6T延叉称为均匀外延,是外延层与衬底材料相同的外延。绪论中介绍的vn型晶体管就是在同质外延硅片上制作的...[全文]
按掺杂类型等参量划分2017-5-8 20:41:28
硅片有多个特征参量,如晶向、掺杂类型、杂质浓度(或电阻率)等,可以按照其中一个参量来划分硅片,如M24C01-MN6T按照掺杂浓度划分硅片。本征硅理论上的电阻率可以达到20kΩ・c...[全文]
籽晶在拉单晶时是必不可少的种子2017-5-8 20:11:01
晶体生长中,控制拉杆提拉速度和转速、坩埚温度及坩埚反向转速是很重要的,硅锭的K4H511638J-LCCC直径和生长速度与上述囚素有关。在坩埚温度、坩埚反向转速一定时,主要通过控制拉杆提拉速度来...[全文]
垂直探测仪的电子线路2017-5-4 19:15:04
垂直探测仪电子线路模块类似于成像仪,只是增加了要求对滤光轮电机驱动、同步和通道配准电路。Q22MA4061064000尽管在南北和东西方向有平均误差积分器(AEI)来提高位置精度,但在东西方向没...[全文]
极地轨道气象卫星2017-5-3 21:49:28
极地轨道气象卫星为低航高-近极地太阳同步轨道,轨道高度约SO0km~1600km,M29W128GH70ZA6E南北向绕地球运转,每周经极地附近,对东西宽约⒛00km的带状地域进行观测,...[全文]
对跟踪系统的主要要求2017-5-2 21:19:27
(1)跟踪角速度及角加速度的要求跟踪角速度及角加速度是指跟踪机构能够输出的最大角速度及角加速度。它表明M24C16-WBN6了系统的跟踪能力。它们由系统所攻击的目标相对系统的最大运...[全文]
对扫描系统的基本要求 2017-5-2 20:59:48
根据扫描系统的任务,结合其性能要求,应对以M12L64164A-7TG下三个方面的性能指标进行好好研究。1.扫描视场扫描视场是指在扫描一帧的时间内,光学系统瞬时视场所...[全文]
半导体材料2017-4-30 19:09:18
半导体材料,G006-8510顾名思义就是本身就有一螳天然导电能力的材料。有两种半导体元素——硅和锗,在元素周期表中位于第4列。另外,还有好几卜种化合物材料(化合物就是两个或更多元素化合的材料)...[全文]
通过光束来传递信息是人们梦寐以求的方法2017-4-22 22:35:45
通过光束来传递信息是人们梦寐以求的方法,在光通信与光信息处理时,若想把M4A2010S301EBP所得到的信息传递出去,就必须把所要传递的信息加载到某一介质上,而这种将信息加载到介质载体的过程称...[全文]
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