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分辨率2017-5-23 21:41:43
分辨率是指一个光学系统精确区分目标的能力。微图形加工的最小分辨率是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸或机器能充分打印出的区域。PMBT3904分辨率是决定光刻系统最重要的指标,能分辨的线宽越...[全文]
铜及其阻挡层薄膜的淀积2017-5-23 21:16:22
铜互连系统是继铝互连系统之后广泛应用于超大规模集成电路的金属互连系统。表84所示是几种常用互连金属材料特性,从中可知铜的电阻率很低,只有铝的62%;而铜的抗电迁移性高,实际上比铝能高出两个数量级...[全文]
气相输运过程2017-5-21 17:52:10
气相输运过程是源蒸气从源到衬底表面之间的质量输运过程。蒸气原子在飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞,两次碰撞之OCP2156TWAD间飞行的平均距离称为蒸气原子的平均自由程(λ)。...[全文]
蒸发过程2017-5-21 17:41:47
蒸发过程是蒸发源原子(或分子)从固体或液体表面逸出成为蒸气原子的过程。固态物BDCA-10-25质受热(或其他能量)激发,温度升高至熔点,熔化,再升至沸点,蒸发;或者由固态直接升华为气态。...[全文]
工艺及原理2017-5-10 22:15:32
分子束外延示意图如图⒊17所示,分子束外延是在超高真空条件下,由装有各种所需组分源的喷射炉对各组分源加热,产生的源蒸气经小孔准直后形成分子束或原子束,MAX1705EEE直接喷射到适当温度的单晶...[全文]
加热系统2017-5-9 22:10:55
加热系统。有冷壁和热壁两种类型。常压反LD2981CU50TR应器都使用冷壁加热系统,用射频线圈或红外辐射加热器直接加热基座,基座必须是对加热器敏感的易感器,而反应器的器壁并未被加热。低压反应器...[全文]
按用途划分2017-5-8 20:43:08
硅片作为微电子产品的衬底,按照其用途来划分规格也是常用方法,如有二极管级硅片、M24C01-WMN6T集成电路级硅片、太阳电池级硅片等。在表22中给出了二极管级硅片的...[全文]
铝是硅器件或电路芯片中应用最多的内电极材料2017-5-7 17:11:42
铝是硅器件或电路芯片中应用最多的内电极材料,铝-硅二元体系在热力学平衡状态的性质可以从相图获得。图⒈16所示就是铝一硅体系相图。GD75232PWR纯铝的凝固点(熔点)是660℃,纯硅的凝固点是...[全文]
垂直探测仪的扫描控制2017-5-4 19:14:00
正如成像仪一样,垂直探测仪能以交替方式对所选区域进行扫描(即从西到东,再从东到西,反之亦然),并能从北到南和从南到北扫描。但是地面操作设各(OGE)仅能适应从北到南扫描。Q22FA23V0003...[全文]
红外光电探测系统工作波段优化选择2017-4-27 21:52:08
如图4-9所示,在采用光谱滤波技术进行红外光电系统探测波段优化选择时,并不EZJPZV270RA是选择目标信号最强或是背景信号最弱的谱段最好,而是要综合考虑目标和背景信号的光谱分布特性,选择目标...[全文]
背景抑制技术 2017-4-26 23:03:47
从第1章1.3节“目标和背景的辐射特性”中我们知道,对于红外光电探测系统而言,S29AL016D70TFI01除了外部各种环境的红外辐射外,其内部各元部件自身发出的红外辐射信号也是...[全文]
旋转反射棱柱(镜鼓)2017-4-25 21:52:08
多面反射镜也称为镜鼓,是由n个矩形平面反射镜组成的棱柱,可绕轴线做连续运动。前面介绍的摆动平面镜扫描是不适合于高速扫描的,因为它在视场边缘变得不稳定,M24C02-WBN6并要求较...[全文]
光机扫描技术2017-4-24 21:35:10
用于辐射测量或是用于目标探测定位的红外应用系统,均要求系统有较高的空间分辨率(高精度测量和跟踪定位)、较大的探测视场(大范围成像和搜索跟踪),EZJP0V6R8GA一般系统瞬时视场通常要求在0....[全文]
CCD和CMOs读出电路比较2017-4-24 20:55:32
CCD图像传感器和CMOS图像传感器的光敏元都是硅光二极管,光电转换原理相同,EZJP0V080MA两者在技术性能指标方面的差异主要是读出方式不同,如图3-53所示。...[全文]
量子阱红外探测器2017-4-23 20:29:15
量子阱红外探测器是继H四dTe红外探测器之后又一重要的可以在中、FC100H9长波段和甚长波段工作的红外探测器,它在甚长波红外探测、多色探测及其焦平面技术方面显现出比HgCdTe红外探测器更具特...[全文]
测量方向的判别2017-2-5 20:55:34
测量方向的判别。为了判ICN8303M别光栅的移动方向,还需要取得判向信号,路框图中得到。光栅信号B由另一路光电接收器取样,通常由四级硅光电池另两极得到两个反相的余弦信号,经差分电路和整形电路后...[全文]
检测时的注意事项2017-1-20 20:16:31
①第一次测量后,应首先V30058-T1将电容器放电(以万用表表笔将电容器两根引线短路一下即可),才可进行下一次测量,否则可能无法观察到变化情况。②测量过程中,手不可同时接触电容器...[全文]
常见电容器的选用、代换与检测方法 2017-1-20 20:03:32
常见电容器的选用、代换与检测方法电容器在电路中所承受的实际电压绝不可超过其耐压值;滤波电路中,电容V20100S-E3器的耐压值不可小于交流电压有效值的1.42倍;使...[全文]
指定实体属性2016-12-26 19:56:03
定义完模型的几何参数后,就需要指定模型中各实体的属性参数。单击工具VC0988NLCB栏中的实体选择按钮鼷∷,该功能用于在屏幕上选择模型中的单元实体,关于单元实体和体的说明参见2.1节。其他工具...[全文]
对故障进行分析2016-12-23 20:48:44
将故障现象观察、记录清楚之后,关机停电,对所观察到的现象进行分析,根据电路的真值表、状态转换图、EP1S25F1020C5所用器件的工作原理和工作条件,判断产生故障的原因。例如,无论给实验电路如...[全文]
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  21. 27C801
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