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化合物薄膜2017-5-23 21:26:03
例如,nMOs电路的互连系统是采用Pts←T←Pt-Au多层金属系统。该系统工艺为:PMBD914①溅射Pt,然后700℃热处理形成P♂欧姆接触层;②溅射Ti,作为黏...[全文]
偏压溅射2017-5-22 20:16:39
偏压溅射是将衬底放置在离阳极极板一段距离的衬底极板上,并在该极板上加载100~500V的直流负偏压,LA6358NMLL偏压溅射装置示意图如图826所示。在薄膜淀积过程中,衬底受到...[全文]
台阶覆盖特性2017-5-22 19:47:30
台阶覆盖特性如何对蒸镀薄膜而言很重要。集成电路制造技术通常希望所淀积薄膜的保形覆盖能力强,L6562DTR而真空蒸镀制备的薄膜存在台阶覆特性较差问题。图⒏17所示是在表面有深宽比为1的微结构衬底...[全文]
CⅤD多晶硅薄膜工艺2017-5-20 21:43:08
以CVD工艺制备的多晶硅薄膜厚度均匀、晶粒尺寸适中、台阶覆盖特性好,ACT4501SH-T因此被普遍采用,特别是其中可以大批量、经济性生产的LPCVD方法用得最普遍。通常LPCVD多晶硅是在57...[全文]
高密度等离子体技术也应用到氮化硅薄膜制各中2017-5-20 21:35:28
以SlH砭/N2为反应剂淀积氮化硅时,如果其他的工艺条件与以SiH1/NH3为反应剂时相同,则N2和sH1之比需要高达(100:1)~(1∞0)。这是因为N2的等离子化速率比sH,慢得多,只有A...[全文]
通常可以用临界角吼来描述发生沟道效应的界限2017-5-15 21:48:09
图614(b)所示是当人射离子沿着沟道轴向人射时,因其离晶轴位置不同而有不同的碰撞情况。PG985C4R当离子A沿着靠近晶轴位置人射时,很容易与晶格原子碰撞而产生大角度散射,不能进入沟道;离子B...[全文]
离子注入射程R、投影射程RP及工维分布2017-5-15 21:13:09
设每相邻两次碰撞所经历的路程依次为J1、J2、'3…,如图61(a)所示,则离子PA905C4R从进人靶起到停止点所通过路径的总距离R称为入射离子的射程(range):R在人射方向...[全文]
以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,2017-5-11 22:00:33
本章概述了外延概念、工艺方KA324DTF法、种类及用途。详细介绍了制备硅外延片常用的气相外延工艺和先进的MBE工艺的方法、原理、设备及技术。对LPE、SPE等外延方法及先进外延技术发展趋势进行...[全文]
反应剂浓度对生长速率的影响2017-5-9 21:47:13
硅源无须还原剂,通过自身分解就生成了⒊和H2,夕卜延气体中的H2只是用来作为稀释气体。sH1可以在低于900℃的温度下生长很薄的外延层,LD1117S50TR而且有较高的生长速率,也是当前采用较...[全文]
微电子工业是飞速发展的高技术产业2017-5-6 17:26:31
微电子工业是飞速发展的高技术产业,其产品在各个领域得到广泛应用。近年来N79E342信息技术、计算机行业及家电产业之所以能取得如此巨大的成就,主要是得益于微电子工业的发展,特别是集成电路的发展。...[全文]
探测器实质上是一个积分器2017-4-27 22:04:35
红外探测器对于人射辐射的响应实质上是对入射信号积分累加的一个过程,也就是说,EZJPZV6R8JA探测器实质上是一个积分器。从高等数学理论可以知道,积分过程相当于对序列求平均的过程,所以积分器实...[全文]
折射式光学系统2017-4-21 20:31:17
折射式光学系统是指参与成像的OPA2374AIDR光学元件都为透射元件的光学系统,也称为透射式光学系统,如图3-30所示。折射式光学系统由于没有中心遮拦,可以获得较高...[全文]
理想光学系统2017-4-20 21:27:12
理想光学系统定义:FCU5N60对任意大的空间范围内,用任意宽的光束都能得到完善像的光学系统就是理想光学系统。完善像是指从物点发出的光线经光学系统之后全部会聚于像点。根据费马原理可...[全文]
机身蒙皮的红外辐射2017-4-16 22:05:55
飞机机身蒙皮的红外辐射可以视为灰体辐射,要计算其辐射强度关键是要获取机身蒙皮的温度、AD8628AUJZ-REEL7蒙皮材料的比辐射率和蒙皮的形状尺寸。飞机在平流层飞行时,其机身蒙...[全文]
天空2017-4-16 21:20:46
地球上天空的辐射主要包含了天空中大气层自身的辐射和大气中各种成分(气体分子、气溶胶和污染物等)散射的太阳光的星际空间的辐射能量。ADC084S021CIMMX其中地球大气层自身的辐射主要集中在4...[全文]
整改多由产品设计单位技术人员参与进行2017-4-7 23:10:33
若整改是由工厂的技术人员进行,ICL3225IA由于此类技术人员通常就是产品的设计工程师(除非产品不是由工厂设计,工厂只是代为加I,此时,整改多由产品设计单位技术人员参与进行),他们对产品的工作...[全文]
基础测量标准及要求2017-4-5 21:29:22
包含工频磁场抗扰度测量的标准不同的电子、HIT468-EQ电气产品标准对工频磁场抗扰度试验的要求是不同的,例如,EN61000-4-8(GB/T17626.8、基石出标准)、EN5...[全文]
Parameters表中Current栏显示的是新参数值2017-4-2 13:59:55
单击按钮,运行Discrete(离散)引擎。Discrete引擎将从离散值表中选择与优化结果参数值最接近的商品化元器件系列标称值。然后使用新的参数值重新进行模拟仿真并显示电路特性绪果。ICL76...[全文]
根据干扰和EUT的特点来对问题进行判断和定位2017-3-29 22:45:31
根据干扰和EUT的特点来对问题进行判断和定位Cs测试时,JAN2N1893若敏感问题出现在测试频率低端,应着手改进被测电缆的屏蔽和滤波,阻止RFI沿电缆进人EUT内部。若敏感问题仅...[全文]
sPD应用和认识误区2017-3-28 22:04:49
对SPD型号含义的误读此类误读主要针对压敏电阻而言,A1136-107P各个厂家的型号命名方式有所不同,但总体而言,多数厂家的型号主体部分的含义是相同的或相近的。如以常见的EPCO...[全文]
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